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NTMFS4C05NT1G、NTMFS4C05NT3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTMFS4C05NT1G NTMFS4C05NT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTMFS4C05NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 78 A, 30 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.2 V功率MOSFET的30 V , 78 A单娜????通道, SOA ???? 8 FL Power MOSFET 30 V, 78 A, Single N−Channel, SO−8 FL

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 5

封装 SO-FL-8 DFN-5

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 33 W 770mW (Ta)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 21.7A

输入电容(Ciss) 1972pF @15V(Vds) 1972pF @15V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 770mW (Ta), 33W (Tc) 770mW (Ta)

通道数 1 -

针脚数 5 -

漏源极电阻 0.0027 Ω -

阈值电压 2.2 V -

漏源击穿电压 30 V -

上升时间 32 ns -

输出功率 38.5 W -

额定功率(Max) 770 mW -

下降时间 7 ns -

电源电压 30 V -

封装 SO-FL-8 DFN-5

长度 6.1 mm -

宽度 5.1 mm -

高度 1.05 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2016/06/20 -