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IS62WV51216ALL-70BI、IS62WV51216ALL-70BLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS62WV51216ALL-70BI IS62WV51216ALL-70BLI

描述 SRAM Chip Async Single 1.8V 8M-Bit 512K x 16 70ns 48Pin mBGASRAM Chip Async Single 1.8V 8M-Bit 512K x 16 70ns 48Pin Mini-BGA

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48

封装 BGA-48 BGA-48

位数 16 16

存取时间 70.0 ns 70 ns

存取时间(Max) 70 ns 70 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V

电源电压(DC) 1.80 V, 2.20 V (max) -

内存容量 8000000 B -

封装 BGA-48 BGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅

ECCN代码 - EAR99