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P1206E2002BB、P1206E2002BN、P1206E2002BBT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P1206E2002BB P1206E2002BN P1206E2002BBT

描述 Thin Film Resistors - SMD P 1206 E 2002B B WPThin Film Resistors - SMD P 1206 E 2002B N WP e2RESISTOR, THIN FILM, 0.4 W, 0.1 %, 25 ppm, 20000 ohm, SURFACE MOUNT, 1206, CHIP

数据手册 ---

制造商 Vishay Sfernice (思芬尼) Vishay Sfernice (思芬尼) Vishay Thin Film

分类

基础参数对比

封装(公制) 3216 3216 -

封装 1206 1206 -

额定功率 330 mW 330 mW -

电阻 20 kΩ 20 kΩ -

额定电压 200 V 200 V -

长度 3.06 mm 3.06 mm -

宽度 1.6 mm 1.6 mm -

高度 0.5 mm 0.5 mm -

封装(公制) 3216 3216 -

封装 1206 1206 -

工作温度 55℃ ~ 155℃ 55℃ ~ 155℃ -

温度系数 ±25 ppm/℃ ±25 ppm/℃ -

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 - RoHS Compliant -