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1N1202AR、JAN1N1202A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N1202AR JAN1N1202A

描述 Diode Switching 200V 12A 2Pin DO-4军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier

数据手册 --

制造商 GeneSiC Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管功率二极管

基础参数对比

封装 DO-203AB DO-203AA

引脚数 - 2

正向电压 1.1V @12A 1.35V @38A

正向电压(Max) 1.1V @12A -

正向电流(Max) - 12 A

工作温度(Max) - 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

封装 DO-203AB DO-203AA

工作温度 150 ℃ -

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

军工级 - Yes

ECCN代码 EAR99 -

HTS代码 8541100080 -