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BC212L、BC308、2N929ALEADFREE对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC212L BC308 2N929ALEADFREE

描述 PNP通用放大器 PNP General Purpose AmplifierPNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSmall Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-92-3 TO-226-3 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) -50.0 V -25.0 V -

额定电流 -300 mA -100 mA -

极性 Dual P-Channel - -

耗散功率 625 mW 500 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 25 V -

集电极最大允许电流 0.3A - -

最小电流放大倍数(hFE) 60 @2mA, 5V 120 @2mA, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) 300 800 -

额定功率(Max) 625 mW 500 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-226-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -