DB105、DB105G对比区别

高亮显示差异参数

型号 DB105 DB105G

描述 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, DB, 4 PINGENESIC SEMICONDUCTOR DB105G Bridge Rectifier Diode, Single, 600V, 1A, DIP, 1.1V, 4Pins

数据手册 --

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) GeneSiC Semiconductor

分类 二极管

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 4

封装 - EDIP-4

正向电压 - 1.1V @1A

正向电流 - 1 A

正向电压(Max) - 1.1 V

正向电流(Max) - 1 A

工作温度(Max) - 150 ℃

封装 - EDIP-4

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17