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HM628128BLFP-8、UPD431000AGW-85L、TC551001BFL-85L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HM628128BLFP-8 UPD431000AGW-85L TC551001BFL-85L

描述 85ns; V(cc): -0.5 to +7V; 1W; 1M SRAM (128-Kword x 8Bit)1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8BitSILICON GATE CMOS 131,072 WORD x 8Bit STATIC RAM

数据手册 ---

制造商 HITACHI (日立) NEC (日本电气) Toshiba (东芝)

分类 RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

封装 SOP SOP SOP

电源电压 5 V - -

封装 SOP SOP SOP

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

RoHS标准 - - RoHS Compliant