IPS1011PBF、VNP20N07-E、VNP14NV04-E对比区别
型号 IPS1011PBF VNP20N07-E VNP14NV04-E
描述 Power Switch Lo Side 85A 3Pin(3+Tab) TO-220 TubeSTMICROELECTRONICS VNP20N07-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 80 V, 50 mohm, 10 V, 3 VOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
输出接口数 1 1 1
输出电流 85 A 28 A 24 A
供电电流 - - 0.1 mA
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.05 Ω 0.035 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 25 W 83 W 70 W
阈值电压 - 3 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 36 V 80 V 55 V
漏源击穿电压 - 70.0 V 40.0 V
连续漏极电流(Ids) - 10.0 A 7.00 A
上升时间 - - 350 ns
输出电流(Max) - 14 A 12 A
输出电流(Min) - - 12 A
输入数 - 1 1
下降时间 70 µs - 150 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - 40 ℃
耗散功率(Max) 25000 mW 83000 mW 74000 mW
额定功率 25 W 83 W -
通道数 - 1 -
输入电压(Max) - 18 V -
输入电压 4.5V ~ 5.5V 18 V -
额定电流 18 A - -
输出电压 28 V - -
钳位电压 36 V - -
电源电压 4.5V ~ 5.5V - -
电源电压(Max) 5.5 V - -
电源电压(Min) 4.5 V - -
长度 10.66 mm - 10.4 mm
宽度 4.82 mm - 9.35 mm
高度 9.02 mm 9.15 mm 4.6 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - - -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99