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MSMLJ18AE3、MSMLJ18AE3/TR、MSMLJ18A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MSMLJ18AE3 MSMLJ18AE3/TR MSMLJ18A

描述 DO-214AB 18V 3000WDiode TVS Single Uni-Dir 18V 3kW 2Pin DO-214AB T/R表面安装3000瓦的瞬态电压抑制器 SURFACE MOUNT 3000 Watt Transient Voltage Suppressor

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 DO-214AB SMC DO-214AB-2

电容 - - 2600 pF

耗散功率 3 kW - 3000 W

钳位电压 29.2 V 29.2 V 29.2 V

最大反向电压(Vrrm) 18V - 18V

测试电流 1 mA 1 mA 1 mA

脉冲峰值功率 3000 W 3000 W 3000 W

最小反向击穿电压 20 V - 20 V

击穿电压 20 V 20 V 20 V

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

工作结温 - - -65℃ ~ 150℃

封装 DO-214AB SMC DO-214AB-2

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -