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TC2185-2.85VCTTR、TC2015-2.85VCTTR、TC2014-2.85VCTTR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TC2185-2.85VCTTR TC2015-2.85VCTTR TC2014-2.85VCTTR

描述 50毫安100毫安, 150毫安CMOS LDO的 50 mA, 100 mA, 150 mA CMOS LDOs50毫安100毫安, 150毫安CMOS LDO,具有关断和参考旁路 50 mA, 100 mA, 150 mA CMOS LDOs with Shutdown and Reference Bypass50毫安100毫安, 150毫安CMOS LDO,具有关断和参考旁路 50 mA, 100 mA, 150 mA CMOS LDOs with Shutdown and Reference Bypass

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 稳压芯片稳压芯片稳压芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 5 5

封装 SOT-23-5 SOT-23-5 SOT-23-5

输出接口数 1 1 1

输入电压(DC) 2.70V (min) 2.70V (min) 2.70V (min)

输出电压 2.85 V 2.85 V 2.85 V

输出电流 150 mA 100 mA 50 mA

耗散功率 0.318 W 318 mW 0.318 W

静态电流 0.055 mA 55.0 µA 55.0 µA

输出电容类型 Ceramic Ceramic Ceramic

跌落电压 0.14V @150mA,0.09V @100mA 0.09V @100mA 0.045V @50mA

输入电压(Max) 6 V 6 V 6 V

输入电压(Min) 2.7 V 2.7 V 2.7 V

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 318 mW 318 mW 318 mW

精度 ±0.4 % - ±0.4 %

输入电压 ≤6 V ≤6 V ≤6 V

输出电流(Max) 0.15 A - -

长度 3.1 mm - 3.1 mm

宽度 1.8 mm - 1.8 mm

高度 1.3 mm - 1.3 mm

封装 SOT-23-5 SOT-23-5 SOT-23-5

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

香港进出口证 NLR - -