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TL062ID、TL062IDT、TL062BCDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL062ID TL062IDT TL062BCDT

描述 低功率J-FET双运算放大器 LOW POWER J-FET DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSSTMICROELECTRONICS  TL062IDT  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 3.5 V/µs, 6V 至 36V, SOIC, 8 引脚TL062 系列 36 V 1 MHz 低功耗 JFET 双 运算放大器 - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 200 µA 200 µA 200 µA

电路数 2 2 2

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1 MHz

输入补偿电压 3 mV 3 mV 2 mV

输入偏置电流 30 pA 30 pA 30 pA

工作温度(Max) 105 ℃ 105 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 1 MHz 1 MHz 1 MHz

耗散功率(Max) 680 mW 680 mW 680 mW

共模抑制比(Min) 80 dB 80 dB 80 dB

工作电压 - 6.36 V -

通道数 2 2 -

针脚数 - 8 -

耗散功率 680 mW 680 mW -

共模抑制比 80 dB 86 dB -

带宽 - 1 MHz -

转换速率 3.50 V/μs 3.50 V/μs -

电源电压 - 6V ~ 36V -

电源电压(Max) 36 V 36 V -

电源电压(Min) 6 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.65 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 105℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99