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APT30M75BLLG、IXFH40N30Q、IXFH40N30对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT30M75BLLG IXFH40N30Q IXFH40N30

描述 TO-247 N-CH 300V 44ATrans MOSFET N-CH 300V 40A 3Pin(3+Tab) TO-247ADIXYS SEMICONDUCTOR  IXFH40N30  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 300 V, 85 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 300 V 300 V 300 V

额定电流 44.0 A 40.0 A 40.0 A

额定功率 - 300 W -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 80 mΩ 0.085 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 - 300 W 300 W

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

漏源击穿电压 - 300 V -

连续漏极电流(Ids) 44.0 A 40.0 A 40.0 A

上升时间 3 ns 35 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 3018pF @25V(Vds) 3100 pF 4800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W 300 W

下降时间 2 ns 12 ns 45 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 329000 mW 300W (Tc) 300W (Tc)

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 4 V

输入电容 3.02 nF - -

栅电荷 57.0 nC - -

长度 - 16.26 mm -

宽度 - 5.3 mm -

高度 - 21.46 mm 21.46 mm

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99