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TK12A60D、TK12A65D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TK12A60D TK12A65D

描述 Trans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3Pin(3+Tab) TO-220SISTO-220SIS N-CH 650V 12A

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)

分类

基础参数对比

封装 SC-67 SC-67

封装 SC-67 SC-67

产品生命周期 Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

极性 - N-CH

漏源极电压(Vds) - 650 V

连续漏极电流(Ids) - 12A