IPB03N03LB G、IPB034N03L G对比区别
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3Pin(2+Tab) TO-263INFINEON IPB034N03L G 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 2.8 mΩ
极性 - N-Channel
耗散功率 150W (Tc) 94 W
阈值电压 - 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
上升时间 - 6.4 ns
输入电容(Ciss) 7624pF @15V(Vds) 5300pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 150 W 94 W
下降时间 - 5.4 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 94W (Tc)
额定电压(DC) 30.0 V -
额定电流 80.0 A -
输入电容 7.62 nF -
栅电荷 59.0 nC -
连续漏极电流(Ids) 80.0 A -
长度 - 10 mm
宽度 - 9.25 mm
高度 - 4.4 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99