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IPB03N03LB G、IPB034N03L G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB03N03LB G IPB034N03L G

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3Pin(2+Tab) TO-263INFINEON  IPB034N03L G  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 2.8 mΩ

极性 - N-Channel

耗散功率 150W (Tc) 94 W

阈值电压 - 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

上升时间 - 6.4 ns

输入电容(Ciss) 7624pF @15V(Vds) 5300pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 150 W 94 W

下降时间 - 5.4 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) 94W (Tc)

额定电压(DC) 30.0 V -

额定电流 80.0 A -

输入电容 7.62 nF -

栅电荷 59.0 nC -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A -

长度 - 10 mm

宽度 - 9.25 mm

高度 - 4.4 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99