MTB3N100E、MTP3N100E、2SK1119对比区别

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型号 MTB3N100E MTP3N100E 2SK1119

描述 D2PAK N-CH 1000V 3ATrans MOSFET N-CH Si 1kV 3A 3Pin(3+Tab) TO-220ABTO-220AB N-CH 1000V 4A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Toshiba (东芝)

分类

安装方式 Surface Mount - Through Hole

封装 D2PAK-263 - TO-220

引脚数 3 - -

极性 N-CH - N-CH

漏源极电压(Vds) 1000 V - 1000 V

连续漏极电流(Ids) 3A - 4A

耗散功率(Max) 2500 mW - 100W (Tc)

上升时间 19 ns - -

输入电容(Ciss) 1316pF @25V(Vds) - -

下降时间 33 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 D2PAK-263 - TO-220

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Rail - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

材质 Silicon - -