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SI2301CDS-T1-E3、SI2301CDS-T1-GE3、IRLML2246TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI2301CDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-GE3 IRLML2246TRPBF

描述 P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFETP通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFETINFINEON  IRLML2246TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -1.1 V

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) VISHAY (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定功率 - 1.6 W 1.3 W

通道数 - - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.11 Ω 0.142 Ω 0.09 Ω

极性 P-CH P-Channel P-CH

耗散功率 1.6 W 0.86 W 1.3 W

阈值电压 400 mV 400 mV 1.1 V

输入电容 - - 220 pF

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - - 20 V

连续漏极电流(Ids) 2.3A -3.10 A 2.6A

上升时间 35 ns 35 ns 7.7 ns

输入电容(Ciss) 405pF @10V(Vds) 405pF @10V(Vds) 220pF @16V(Vds)

额定功率(Max) 1.6 W 1.6 W 1.3 W

下降时间 10 ns 10 ns 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 860 mW 860 mW 1.3W (Ta)

长度 - 3.04 mm 3.04 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 - 1.02 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 3000 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -