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RGP10J-E3/73、RGP10J-E3/54、NTE116对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RGP10J-E3/73 RGP10J-E3/54 NTE116

描述 DIODE GPP 1A 600V 250NS DO-411A,Vishay Semiconductor采用工业标准封装类型的多用途、高效快速恢复功率二极管。薄型,高度为 1mm 雪崩整流器 ### 二极管和整流器,Vishay SemiconductorNTE ELECTRONICS  NTE116  标准功率二极管, 单, 600 V, 1 A, 1.1 V, 30 A

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) NTE Electronics

分类 整流二极管TVS二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-204AL DO-204AL DO-204AL

引脚数 - 2 2

正向电压 1.3V @1A 1.3V @1A 1.1 V

反向恢复时间 250 ns 250 ns -

正向电压(Max) - 1.3V @1A 1.1 V

正向电流(Max) - 1 A -

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

额定电流 - - 1.00 A

针脚数 - - 2

正向电流 - - 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 30 A

封装 DO-204AL DO-204AL DO-204AL

长度 - 5.2 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃

HTS代码 - - 85411000800