RGP30M-E3/73、RGP30MHE3/73、1N5408G对比区别

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型号 RGP30M-E3/73 RGP30MHE3/73 1N5408G

描述 Diode Switching 1kV 3A 2Pin DO-201AD AmmoDiode Switching 1kV 3A 2Pin DO-201AD AmmoTAIWAN SEMICONDUCTOR  1N5408G.  标准功率二极管, 单, 1 kV, 3 A, 1 V, 125 A

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 TVS二极管TVS二极管功率二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AD

引脚数 - - 2

正向电压 1.3V @3A 1.3V @3A -

反向恢复时间 500 ns 500 ns -

正向电压(Max) 1.3V @3A 1.3V @3A 1 V

正向电流 - - 3 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） - - 125 A

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AD

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Box (TB) Tape & Box (TB) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

军工级 - - Yes

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17