IXFX32N100Q3、IXFX32N90P、IXFK32N100P对比区别

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型号 IXFX32N100Q3 IXFX32N90P IXFK32N100P

描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备PLUS N-CH 900V 32ATrans MOSFET N-CH 1kV 32A 3Pin(3+Tab) TO-264

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.32 Ω - 320 mΩ

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 1.25 kW 960 W 960 W

阈值电压 6.5 V 3.5V ~ 6.5V 6.5 V

漏源极电压(Vds) 1 kV 900 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) 32A 32A -

上升时间 15 ns 80 ns 55 ns

输入电容(Ciss) 10990pF @25V(Vds) 10600pF @25V(Vds) 14200pF @25V(Vds)

下降时间 12 ns 26 ns 43 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 1250W (Tc) 960W (Tc) 960W (Tc)

通道数 - 1 1

漏源击穿电压 - - 1000 V

长度 16.13 mm - 19.96 mm

宽度 5.21 mm - 5.13 mm

高度 21.34 mm - 26.16 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free