FDC5612、FDC5612_F095对比区别

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型号 FDC5612 FDC5612_F095

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC5612  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 60 V, 55 mohm, 10 V, 2.2 VMOSFET N-CH 60V 4.3A 6-SSOT

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 -

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6

额定电压(DC) 60.0 V -

额定电流 4.30 A -

针脚数 6 -

漏源极电阻 55 mΩ -

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 1.6 W 1.6W (Ta)

阈值电压 2.2 V -

输入电容 650 pF -

栅电荷 12.5 nC -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 4.30 A 4.3A

上升时间 8 ns -

输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 800 mW -

下降时间 6 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)

长度 3 mm -

宽度 1.7 mm -

高度 1 mm -

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 -