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NSBC114EDXV6T1G、PEMH4,115、NSBC114EDXV6T5G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NSBC114EDXV6T1G PEMH4,115 NSBC114EDXV6T5G

描述 ON SEMICONDUCTOR  NSBC114EDXV6T1G  晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-563 新NXP  PEMH4,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 300 mW, 100 mA, 200 hFE双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-563-6 SOT-666 SOT-563

针脚数 - 6 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.5 W 300 mW 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V 200 @1mA, 5V 35 @5mA, 10V

额定功率(Max) 500 mW 300 mW 500 mW

直流电流增益(hFE) - 200 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 300 mW 500 mW

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

最大电流放大倍数(hFE) 35 - -

高度 0.55 mm 0.6 mm -

封装 SOT-563-6 SOT-666 SOT-563

长度 1.6 mm - -

宽度 1.2 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99