CY7C1568KV18-400BZXI、CY7C1568KV18-550BZXI对比区别

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型号 CY7C1568KV18-400BZXI CY7C1568KV18-550BZXI

描述 72兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构（ 2.5周期读延迟） 72-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)72兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构 72-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165

封装 LBGA-165 FBGA-165

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

位数 - 18

存取时间 - 0.45 ns

存取时间(Max) - 0.45 ns

高度 0.89 mm 0.89 mm

封装 LBGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅