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IRFR2407TRPBF、IRFR2407TRRPBF、IRFR2407TRLPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR2407TRPBF IRFR2407TRRPBF IRFR2407TRLPBF

描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。DPAK N-CH 75V 42ADPAK N-CH 75V 42A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 110 W 110W (Tc) 110 W

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 42A 42A 42A

上升时间 90 ns - 90 ns

输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)

下降时间 66 ns - 66 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)

额定功率 110 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0218 Ω - -

阈值电压 4 V - -

额定功率(Max) 110 W - -

长度 6.73 mm - 6.5 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.39 mm - 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -