IS42S16160D-7BLI、MT48LC16M16A2BG-7E:D TR、IS42S16160G-7BLI对比区别

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型号 IS42S16160D-7BLI MT48LC16M16A2BG-7E:D TR IS42S16160G-7BLI

描述 RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAMDRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin VFBGA T/RINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)  IS42S16160G-7BLI  芯片, 存储器, SDRAM, SDR, 256MB, 3.3V, 54BGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54 54

封装 TFBGA-54 VFBGA-54 BGA-54

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

供电电流 130 mA 135 mA 130 mA

时钟频率 - 143MHz (max) 143 MHz

位数 - 16 16

存取时间(Max) - 5.4 ns 5.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

针脚数 - - 54

存取时间 7 ns - 7 ns

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 3 V - 3 V

封装 TFBGA-54 VFBGA-54 BGA-54

长度 13.1 mm - -

宽度 8 mm - -

高度 0.8 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free PB free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99