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BR24S128FVT-WE2、BR24T128FVT-WE2、BR24G128FV-3GTE2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BR24S128FVT-WE2 BR24T128FVT-WE2 BR24G128FV-3GTE2

描述 高可靠性系列EEPROM的I2C总线 High Reliability Series EEPROMs I2C BUSBR24T128FVT-WE2 编带电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS(2-Wre) 128K SSOP-B8 电可擦除可编程只读存储器

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 EEPROM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 TSSOP-8 TSSOP-8 SSOP-8

时钟频率 400 kHz 400 kHz 400 kHz

存取时间(Max) 900 ns 900 ns 900 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 5.5V 1.6V ~ 5.5V 1.6V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V -

电源电压(Min) 1.7 V 1.6 V -

频率 0.4 MHz - -

供电电流 2.5 mA - -

存取时间 900 ns - -

封装 TSSOP-8 TSSOP-8 SSOP-8

长度 3 mm - -

宽度 4.4 mm - -

高度 1 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free