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IS63LV1024-10KI、IS63LV1024L-10KLI、CY7C1019DV33-10VXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS63LV1024-10KI IS63LV1024L-10KLI CY7C1019DV33-10VXI

描述 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT静态随机存取存储器 1Mb 128Kx8 10ns 3.3v Async 静态随机存取存储器 3.3vCYPRESS SEMICONDUCTOR  CY7C1019DV33-10VXI  芯片, SRAM, 1Mb, 128KX8, 3.3V, SOJ32

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 BSOJ-32 SOJ-32 BSOJ-32

电源电压(DC) 3.30 V, 3.45 V (max) 3.30 V, 3.45 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 - 160 mA 60 mA

位数 8 8 8

存取时间 - 10 ns 10 ns

内存容量 - 1000000 B 125000 B

存取时间(Max) 10 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 3V ~ 3.6V

频率 - - 100 MHz

针脚数 - - 32

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

封装 BSOJ-32 SOJ-32 BSOJ-32

长度 - - 21.08 mm

宽度 - - 10.29 mm

高度 - - 1.2 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tray Each

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 3A991.b.2.b