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BZW04-299BR0、P4KE350CA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZW04-299BR0 P4KE350CA

描述 TVS DIODE硅雪崩二极管 - 400W轴向引线型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 400W Axial Leaded Transient Voltage Supressors

数据手册 --

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Littelfuse (力特)

分类 二极管

基础参数对比

封装 - DO-41

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 - DO-41

长度 - 5.20 mm

直径 - 2.70 mm

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 -

额定电压(DC) - 350 V

工作电压 - 300 V

额定功率 - 400 W

击穿电压 - 350 V

耗散功率 - 400 W

钳位电压 - 482 V

脉冲峰值功率 - 400 W

最小反向击穿电压 - 332 V

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)