FQPF13N50C、STP11NK50ZFP对比区别
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP11NK50ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) 500 V -
额定电流 13.0 A -
漏源极电阻 480 mΩ 0.52 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 48 W 30 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 13.0 A 10.0 A
上升时间 100 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 2055pF @25V(Vds) 1390pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 48 W 30 W
下降时间 100 ns 15 ns
耗散功率(Max) 48W (Tc) 30000 mW
通道数 - 1
针脚数 - 3
阈值电压 - 3.75 V
输入电容 - 1390 pF
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm
高度 - 9.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR -