锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

DMP2066LSS-13、RF1K49223、HP4936DY对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMP2066LSS-13 RF1K49223 HP4936DY

描述 P沟道 20V 6.5A2个P沟道 30V 2.5APower Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.037ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Harris Harris

分类 MOS管

基础参数对比

封装 SOP-8 SOIC-8 -

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 8 - -

封装 SOP-8 SOIC-8 -

长度 5.3 mm - -

宽度 4.1 mm - -

高度 1.5 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 40 mΩ - -

极性 P-CH - -

耗散功率 2.5 W - -

漏源极电压(Vds) 20 V - -

漏源击穿电压 20 V - -

连续漏极电流(Ids) 6.5A - -

上升时间 14 ns - -

输入电容(Ciss) 820pF @15V(Vds) - -

额定功率(Max) 2.5 W - -

下降时间 35.5 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

ECCN代码 EAR99 - -