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PZTM1102、PZTM1102,135、PZTM1102T/R对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PZTM1102 PZTM1102,135 PZTM1102T/R

描述 PNP transistor/Schottky-diode moduleSC-73 PNP 40V 0.2ATRANSISTOR 0.2 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Power

数据手册 ---

制造商 Philips (飞利浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-223 SOT-223-4 -

极性 - PNP -

耗散功率 - 1.2 W -

增益频宽积 - 250 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) - 40 V -

集电极最大允许电流 - 0.2A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

长度 - 6.7 mm -

宽度 - 3.7 mm -

高度 - 1.7 mm -

封装 SOT-223 SOT-223-4 -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant