IRFB4310ZPBF、IRFB4410ZPBF、HUF75545P3对比区别

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型号 IRFB4310ZPBF IRFB4410ZPBF HUF75545P3

描述 INFINEON  IRFB4310ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 127 A, 100 V, 0.0056 ohm, 20 V, 4 VINFINEON  IRFB4410ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 97 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75545P3  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 80 V, 10 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 250 W 230 W -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0056 Ω 0.008 Ω 10 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 250 W 230 W 270 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

输入电容 6860 pF 4820 pF -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 80 V

连续漏极电流(Ids) 127A 97A 75.0 A

上升时间 60 ns 52 ns 125 ns

输入电容(Ciss) 6860pF @50V(Vds) 4820pF @50V(Vds) 3750pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 250 W 230 W 270 W

下降时间 57 ns 57 ns 90 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250000 mW 230000 mW 270W (Tc)

额定电压(DC) - - 80.0 V

额定电流 - - 75.0 A

漏源击穿电压 100 V - 80.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 10.67 mm 10.66 mm 10.67 mm

宽度 4.83 mm 4.82 mm 4.7 mm

高度 9.02 mm 9.02 mm 16.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 EAR99