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IXFK230N20T、IXFX230N20T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK230N20T IXFX230N20T

描述 TO-264 N-CH 200V 230AN Channel 200V 230A 7.5mΩ Through Hole GigaMOS Power Mosfet - PLUS-247

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-264-3 TO-247-3

通道数 - 1

漏源极电阻 - 7.5 mΩ

耗散功率 1670 W 1670 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

漏源击穿电压 - 200 V

上升时间 35 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 28000pF @25V(Vds) 28000pF @25V(Vds)

下降时间 29 ns 29 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 1670W (Tc) 1670W (Tc)

极性 N-CH -

连续漏极电流(Ids) 230A -

封装 TO-264-3 TO-247-3

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free