IXTA76P10T、IXTH76P10T、IXTP76P10T对比区别

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型号 IXTA76P10T IXTH76P10T IXTP76P10T

描述 TO-263AA P-CH 100V 76AP沟道 100V 76AP沟道 100 V 76 A 25 mΩ 法兰安装 TrenchP 功率 Mosfet - TO-220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-220-3

极性 P-CH P-CH P-CH

耗散功率 298 W 298 W 298 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 76A 76A 76A

上升时间 40 ns 40 ns 40 ns

输入电容(Ciss) 13700pF @25V(Vds) 13700pF @25V(Vds) 13700pF @25V(Vds)

下降时间 20 ns 20 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 298W (Tc) 298W (Tc) 298W (Tc)

额定功率(Max) - 298 W 298 W

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-220-3

高度 - - 9.15 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free