IXTA05N100HV、IXTP05N100、IXTA05N100对比区别

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型号 IXTA05N100HV IXTP05N100 IXTA05N100

描述 Mosfet n-Ch 1kV 750mA To263IXTP 系列 单 N沟道 1000 V 17 Ohm 40 W 高压 Mosfet - TO-220ABTrans MOSFET N-CH 1kV 0.75A 3Pin(2+Tab) TO-263AA

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 17 Ω -

极性 - N-CH -

耗散功率 40W (Tc) 40 W 40W (Tc)

阈值电压 - 4.5 V -

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

漏源击穿电压 - 1000 V -

连续漏极电流(Ids) - 0.75A -

上升时间 19 ns 19 ns 19 ns

输入电容(Ciss) 260pF @25V(Vds) 260pF @25V(Vds) 260pF @25V(Vds)

下降时间 28 ns 28 ns 28 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 40W (Tc) 40W (Tc) 40W (Tc)

额定功率(Max) - - 40 W

长度 - 10.41 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 16 mm -

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

香港进出口证 - NLR -