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FDMC7692S、FDMC7692S_F126、FDMC7672S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDMC7692S FDMC7692S_F126 FDMC7672S

描述 N沟道功率沟槽? SyncFETTM N-Channel Power Trench? SyncFETTMTrans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8Pin MLP T/RPowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 Power-33-8 Power-33-8 Power-33-8

漏源极电阻 0.0078 Ω 9.3 mΩ 0.005 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 2.3 W 27 W 36 W

阈值电压 2 V - 1.6 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 12.5A - 14.8A

上升时间 3 ns 3 ns 4 ns

输入电容(Ciss) 1385pF @15V(Vds) 1385pF @15V(Vds) 2520pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.3 W - 2.3 W

下降时间 3 ns 3 ns 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.3W (Ta), 27W (Tc) 2.3W (Ta), 27W (Tc) 2.3W (Ta), 36W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 30 V -

长度 3.3 mm 3.3 mm 3.3 mm

宽度 3.3 mm 3.3 mm 3.3 mm

高度 0.8 mm 0.8 mm 0.75 mm

封装 Power-33-8 Power-33-8 Power-33-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15