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BFR 181 E6327、BFR 181 E6780对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFR 181 E6327 BFR 181 E6780

描述 INFINEON  BFR 181 E6327  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, 70 hFE射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 12.0 V 12.0 V

额定电流 20.0 mA 20.0 mA

额定功率 0.175 W -

针脚数 3 -

极性 NPN -

耗散功率 175 mW 175 mW

输入电容 0.35 pF -

击穿电压(集电极-发射极) 12 V 12 V

增益 18.5 dB 18.5 dB

最小电流放大倍数(hFE) 70 @5mA, 8V 70 @5mA, 8V

额定功率(Max) 175 mW 175 mW

直流电流增益(hFE) 70 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 175 mW -

长度 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm

高度 1 mm 0.95 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 - Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -