CY7C1412BV18-200BZI、CY7C1412BV18-200BZXC、CY7C1412BV18-200BZC对比区别

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型号 CY7C1412BV18-200BZI CY7C1412BV18-200BZXC CY7C1412BV18-200BZC

描述 36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

位数 18 18 -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

存取时间 - 0.45 ns -

高度 0.89 mm - -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free