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IRF540ZS、IRF540ZSPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF540ZS IRF540ZSPBF

描述 D2PAK N-CH 100V 36AINFINEON  IRF540ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 100 V, 26.5 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 - 92 W

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.0265 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 92W (Tc) 92 W

阈值电压 - 4 V

输入电容 - 1770pF @25V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 36.0 A 36A

上升时间 51 ns 51 ns

输入电容(Ciss) 1770pF @25V(Vds) 1770pF @25V(Vds)

下降时间 39 ns 39 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 92W (Tc) 92W (Tc)

额定电压(DC) 100 V -

额定电流 36.0 A -

产品系列 IRF540ZS -

漏源击穿电压 100 V -

额定功率(Max) - -

长度 - 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm

高度 - 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk Rail, Tube

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - -