IRL2910PBF、IRLB4030PBF对比区别
型号 IRL2910PBF IRLB4030PBF
描述 N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRLB4030PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - -
额定电流 - -
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.026 Ω 0.0034 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 370 W
产品系列 - -
阈值电压 2 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 55A 180A
上升时间 100 ns 330 ns
输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) 11360pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - 370 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
额定功率 200 W 370 W
通道数 1 1
输入电容 - 11360 pF
下降时间 55 ns 170 ns
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) 370000 mW
封装 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.54 mm 10.67 mm
宽度 4.69 mm 4.83 mm
高度 8.77 mm 9.02 mm
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
香港进出口证 - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon -