CY7C1414KV18-250BZI、CY7C1414KV18-250BZXI、CY7C1414KV18-250BZXC对比区别

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型号 CY7C1414KV18-250BZI CY7C1414KV18-250BZXI CY7C1414KV18-250BZXC

描述 36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst ArchitectureCY7C1414JV18 系列 36 Mb (1M x 36) 1.8 V 250 MHz QDR II SRAM - FBGA-165

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

针脚数 - 165 -

位数 36 36 36

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

供电电流 - - 730 mA

时钟频率 - - 250 MHz

存取时间 0.45 ns - 0.45 ns

电源电压(Max) 1.9 V - 1.9 V

电源电压(Min) 1.7 V - 1.7 V

高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

ECCN代码 3A991 3A991 3A991.b.2.a