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HGTG30N60A4、IRGP30B60KD-EPBF、HGTG20N60A4D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HGTG30N60A4 IRGP30B60KD-EPBF HGTG20N60A4D

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG30N60A4  单晶体管, IGBT, 通用, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin (3+Tab) TO-247ACFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG20N60A4D  单晶体管, IGBT, 通用, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-247-3 - TO-247-3

额定电压(DC) 600 V - 600 V

额定电流 75.0 A - 70.0 A

额定功率 463 W - 190 W

针脚数 3 - 3

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 463 W - 290 W

上升时间 12.0 ns - 12 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V - 600 V

反向恢复时间 - - 35 ns

额定功率(Max) 463 W - 290 W

下降时间 - - 32 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 463000 mW - 290000 mW

长度 15.87 mm - 15.87 mm

宽度 4.82 mm - 4.82 mm

高度 20.82 mm - 20.82 mm

封装 TO-247-3 - TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99