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NTB23N03R、NTB23N03RG、NTB23N03RT4G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTB23N03R NTB23N03RG NTB23N03RT4G

描述 23A,25V功率MOSFET功率MOSFET 23安培, 25伏特N沟道D2PAK Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK23A,25V功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 25.0 V

额定电流 23.0 A 23.0 A 23.0 A

漏源极电阻 32.0 mΩ 32 mΩ 32 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 37.5 W 37.5 W 37.5 W

输入电容 225 pF 225 pF -

栅电荷 3.76 nC 3.76 nC -

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V

漏源击穿电压 25.0 V 25 V 25 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 23.0 A 23.0 A 23.0 A

输入电容(Ciss) 225pF @20V(Vds) 225pF @20V(Vds) 225pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 37.5 W 37.5 W 37.5 W

耗散功率(Max) 37.5 W 37.5 W 37.5 W

通道数 - 1 1

上升时间 - 14.9 ns 14.9 ns

下降时间 - 2 ns 2 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ 55 ℃

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.29 mm 10.29 mm

宽度 - 9.65 mm 9.65 mm

高度 - 4.83 mm 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99