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M36W108AB100ZM1T、M36W108AT100ZM5T、M36W108AB120ZM1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M36W108AB100ZM1T M36W108AT100ZM5T M36W108AB120ZM1

描述 8兆位1Mb的X8 ,引导块闪存和1兆位128KB SRAM X8低电压多的内存产品 8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory Product8兆位1Mb的X8 ,引导块闪存和1兆位128KB SRAM X8低电压多的内存产品 8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory ProductMemory Circuit, 1MX8, CMOS, PBGA48, 1 MM PITCH, LBGA-48

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Numonyx

分类 EEPROM芯片EEPROM芯片

基础参数对比

封装 LBGA LBGA LBGA

封装 LBGA LBGA LBGA

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -