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PBSS3540E、PBSS3540M,315、PBSS3540E,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS3540E PBSS3540M,315 PBSS3540E,115

描述 PNP 晶体管,NXP 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 双极性晶体管,NXP SemiconductorsDFN PNP 40V 0.5ASC-75 PNP 40V 0.5A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-75 SOT-883 SOT-416

频率 - - 300 MHz

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 430 mW 0.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 150 @100mA, 2V 150 @100mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - - 200 @10mA, 2V

额定功率(Max) - 430 mW 250 mW

耗散功率(Max) 250 mW 430 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

封装 SC-75 SOT-883 SOT-416

长度 1.8 mm - -

宽度 0.9 mm - -

高度 0.85 mm - -

工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free