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JAN1N4108D、JANTX1N4108D-1、1N5244B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N4108D JANTX1N4108D-1 1N5244B

描述 硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES稳压二极管 Voltage RegulatorZener Diode 14V 5% 0.5W(1/2W) Do-35 Case

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-35-2 -

耗散功率 500 mW - -

稳压值 14 V 14 V -

容差 - ±1 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-35-2 -

长度 - 5.08 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - - Bulk

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 - -