APT30GP60BG、HGTG30N60A4、HGTG30N60A4D对比区别
型号 APT30GP60BG HGTG30N60A4 HGTG30N60A4D
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 463000mW 3Pin(3+Tab) TO-247分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。HGTG30N60A4系列 600 V 75 A 法兰安装 SMPS N沟道 IGBT-TO-247
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 - 3 3
耗散功率 463000 mW 463 W 463 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 463 W 463 W 463 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 463000 mW 463000 mW 463000 mW
反向恢复时间 - - 55 ns
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 30.0 A - -
长度 - 15.87 mm -
宽度 - 4.82 mm -
高度 - 20.82 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99