IXTH88N30P、IXTQ88N30P、IXFH88N30P对比区别

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型号 IXTH88N30P IXTQ88N30P IXFH88N30P

描述 通孔 N 通道 300V 88A（Tc） 600W（Tc） TO-247（IXTH）IXYS SEMICONDUCTOR  IXTQ88N30P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 88 A, 300 V, 40 mohm, 10 V, 5 VN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3

耗散功率 600 W 600 W 600 W

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

上升时间 24 ns 24 ns 24 ns

输入电容(Ciss) 6300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 600 W 600 W 600 W

下降时间 25 ns 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 600W (Tc)

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.04 Ω 0.04 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

阈值电压 - 5 V 5 V

连续漏极电流(Ids) - 88.0 A 88.0 A

反向恢复时间 - 250 ns 200 ns

通道数 - 1 -

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3

长度 - - 16.26 mm

宽度 - - 5.3 mm

高度 - - 21.46 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/06/15