IRG4BC20KD-S、IRG4BC20KD-STRRPBF、IRG4BC20KD-SPBF对比区别

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型号 IRG4BC20KD-S IRG4BC20KD-STRRPBF IRG4BC20KD-SPBF

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeTrans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RCo-Pack IGBT 高达 20A，InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-263-3 D2PAK TO-263-3

额定功率 60 W - 60 W

针脚数 - - 3

耗散功率 - - 60 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V - 600 V

热阻 - - 40 ℃/W

反向恢复时间 37 ns - 37 ns

额定功率(Max) 60 W - 60 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 60000 mW

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 9.65 mm

高度 - - 4.83 mm

封装 TO-263-3 D2PAK TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99