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GL12T-E3-18、GL12T-HE3-08、GL12T-E3-08对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GL12T-E3-18 GL12T-HE3-08 GL12T-E3-08

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 Dual Diode 12VrwmESD 抑制器/TVS 二极管 Dual Diode 12Vrwm AEC-Q101 QualifiedDIODE ESD LOW CAP 12V SOT23

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

击穿电压 14.3 V 14.3 V 14.3 V

钳位电压 24 V 24 V 24 V

脉冲峰值功率 300 W 300 W 300 W

最小反向击穿电压 13.3 V 13.3 V 13.3 V

耗散功率 300 W 300 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

长度 - - 3.1 mm

宽度 - - 1.43 mm

高度 - - 1.15 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free