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AD8512BR-REEL7、AD8512BRZ-REEL7、TL072CD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD8512BR-REEL7 AD8512BRZ-REEL7 TL072CD

描述 精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifiers精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational AmplifiersTL06x、TL07x、TL08x、JFET 输入、低输入偏置电流运算放大器TL06x、TL07x 和 TL08x 是具有高输入阻抗 JFET 输入阶段的运算放大器。 它们具有高转换速率、低输入偏置和偏置电流、低偏置电压温度系数。低功耗:200 μA(TL06x,每个放大器) 宽共模和差分电压范围 低噪声,通常为 15 nV/√Hz (TL07x) 低谐波失真:0.01% (TL07x) 输出短路保护 内部频率补偿 闩锁自由操作 高转换速率:16 V/μs(TL07x、TL08x),3.5 V/μs (TL06x) ### 运算放大器,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 2.2 mA 2.2 mA 1.4 mA

电路数 2 2 2

共模抑制比 100 dB 86 dB 70 dB

转换速率 20.0 V/μs 20.0 V/μs 16.0 V/μs

增益频宽积 8 MHz 8 MHz 4 MHz

输入阻抗 1.25 TΩ 1.25 TΩ -

输入补偿电压 80 µV 80 µV 3 mV

输入偏置电流 25 pA 25 pA 20 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 8 MHz 8 MHz 4 MHz

共模抑制比(Min) 86 dB 86 dB 70 dB

通道数 2 - 2

电源电压(DC) - - 36.0 V

输出电流 - - 60 mA

耗散功率 - - 680 mW

耗散功率(Max) - - 680 mW

长度 5 mm 5 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 4 mm 3.9 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

军工级 No No -

ECCN代码 - - EAR99